近年來，隨著我國國民經(jīng)濟和科技水平的快速發(fā)展，以及受益于全球電子產(chǎn)業(yè)鏈過去幾年快速向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，全球存儲芯片產(chǎn)品需求也快速向國內(nèi)轉(zhuǎn)移。數(shù)據(jù)存儲的需求量不斷增加。目前市場需求量最大的FLASH存儲芯片已處于嚴重缺貨狀態(tài)，尤其是8Mb的容量。在業(yè)界看來，此輪NAND Flash的缺貨主要在于兩方面的原因：一方面是上游芯片廠持續(xù)將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND，導(dǎo)致2D架構(gòu)NAND Flash產(chǎn)出量下滑；另一方面是，移動智能設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器存儲需求持續(xù)快速增長，尤其是智能型手機/平板搭載eMMC和客戶端/服務(wù)器用SSD需求翻倍增加，持續(xù)消耗大量NAND Flash產(chǎn)能。深究原因，主要是受FLASH芯片的市場需求量影響，廠商們預(yù)計的產(chǎn)量遠遠低于市場需求， FLASH芯片緊缺，導(dǎo)致價格上浮。而今天所談到的是存儲器的其中一種，
SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛，
SRAM主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。
SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保持數(shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲數(shù)據(jù)，所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。
今天就是通過對SRAM選型參數(shù)的介紹來為產(chǎn)品匹配更好的存儲器
首先是在SRAM的選型上，主要看以下幾個參數(shù)
1.存儲器SRAM容量
SRAM 容量是衡量 SRAM存儲數(shù)據(jù)的能力大小.
1.1常用的單位有：bit(位),Byte(字節(jié)). 兩者的換算關(guān)系：1Byte=8bit
1.2常用的容量數(shù)值簡寫有：K（Kilo）,M(Mega),G(Giga).
它們間的換算:1M=1024K,1G=1024M
容量常用的一般是1Mb、 2Mb、4Mb、8Mb。看設(shè)計要求，一般想stm32外擴SRAM有寫用到兩個16Mb，這都是看數(shù)據(jù)量的需求。
2.電壓(Voltage)
常用的電壓有 1.8V,3.3V,5.0V,有的品牌支持寬電壓范圍如:1.8~3.3V,3.3~5.0V
3.速度（Speed）
3.速度（Speed）
這個參數(shù)是衡量 SRAM 產(chǎn)品的反應(yīng)速度快慢，常用 ns(納秒)及 MHz(兆赫茲)作為單位。
納秒與兆赫茲換算關(guān)系是：ns=1/MHz*1000,MHz=1/ns*1000
JSC(EMLSI)的 SRAM 速度一般是 55ns,也是最常用的。其次也有 45ns,和 70ns 的。
我司目前代理的品牌一般都是70ns/55ns/45ns.而大部分的客戶都是選用55ns的比較多，
在速度上55ns基本上夠用，
4. 位寬（Data Bus Width）
此參數(shù)表示 SRAM 在瞬間最大的數(shù)據(jù)吞吐量。數(shù)值越大，數(shù)據(jù)吞吐量就大，單位是 bit
（位）。SRAM 一般分為 8 位寬,和 16 位寬。
5. 待機電流（Standby Current）
表示 SRAM 在待機時的電流值。針對一些客人需要加鋰電池為 SRAM 供電的應(yīng)用，就比較關(guān)注此參數(shù)，此參數(shù)越小越好。數(shù)值越小 SRAM 功耗就越低，鋰電池的供電時間就會越長。常用單位是 uA(微安)。
6. 封裝（Package）
表示 SRAM 產(chǎn)品所采用的封裝外形及尺寸規(guī)格。SRAM 常用的封裝有 SOP，TSOP 和 BGA
7.Pin 腳定義（Pin Configuration）
用于確定 SRAM 產(chǎn)品每個 Pin 腳的功能。當(dāng)我們?nèi)ト〈偁帉κ之a(chǎn)品時，確認以上參數(shù)
相符后，必須再確認 pin 腳的定義是不是也相符。
到了最后這一點基本上已經(jīng)完成了對SRAM選型，目前我司代理的品牌可以說在品質(zhì)和價格上不輸給Lyontek,Cypress,ISSI，
