物聯網及穿戴設備還未出世前，Serial SRAM的利潤并不能吸引主流到SRAM廠商的關注。隨著串行SRAM的商機不斷增多，傳統(tǒng)的SRAM廠商進軍串行SRAM領域的逐漸增多。容量和帶寬將是兩大推動力。
 
大吞吐量、小巧的串行接口SRAM芯片帶來了無限的可能性。它最終有可能成為眾多電路板上當代嵌入式SRAM和并行SRAM的全財產繼承者。
 
國產SRAM廠商安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責任公司是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM存儲芯片、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。擁有國際知名設計專家及工作經驗豐富工程師研發(fā)團隊，與國內知名前后道生產合作伙伴緊密合作。為行業(yè)客戶提供高品質、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。
 
EMI串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術進行設計和制造，以提供高速性能和低功耗。采用單芯片選擇（/ CS）輸入進行操作，并通過與SPI兼容的簡單串行接口進行訪問。可在-40℃至+ 85℃（工業(yè)級）的溫度范圍內工作。
 
并口SRAM芯片可作為強大微處理器的主緩存使用， 通常僅以375mW的功率工作。低功耗提供了電池備份數據保留功能，器件采44TSOP2引腳封裝，供電電壓VCC的范圍為2.7~3.6V，屬于普通主板都能提供的弱電輸入電壓。
 
其作為SRAM最大的特點就是在主機斷電后，仍能通過由電池供電，繼續(xù)保存已經存儲在芯片中的數據，并且其數據保存所需的電壓VDR降低到1.5V最低，而所需的電流IDR更是低至4μA最大值，SRAM芯片相比DRAM的優(yōu)點在于不需要刷新電路就能保存內部存儲的數據，而且更為快速、低功耗。讀寫延時在45/55ns左右，可謂是響應極其迅速的一款產品，適合用在需高速數據傳輸的設備當中。
 
EMI偉凌創(chuàng)芯SRAM芯片采用先進的全CMOS工藝技術制造，位寬為8/16位異步低功耗SRAM芯片，支持寬電壓范圍2.3V?5.5V，同時支持商業(yè)及工業(yè)溫度范圍，封裝采用標準44TSOP2，48BGA，其RAM產品具備高性能，高可靠性，高存儲密度等特性，廣泛應用于辦公自動化，人工智能，工控設備，POS設備，通訊通信行業(yè)等。

本文關鍵詞：國產SRAM,SRAM,SRAM芯片,偉凌創(chuàng)芯

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