psram偽靜態存儲器EMI132LA16LM-70I內存擴展方案
2026-05-14 10:48:23
PSRAM也叫偽靜態隨機存儲器,它對外呈現的是類SRAM的接口協議:只要給出地址、發起讀或寫命令,就能直接完成數據存取,完全不需要像DRAM那樣依賴內存控制器進行周期性的刷新操作。這使得PSRAM在硬件連接和控制邏輯上都相當簡潔。
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英尚代理偉凌創芯EMI推出的EMI132LA16LM-70I為例,這款psram芯片采用2M x 16的組織架構,總容量達到32Mb,工作電壓穩定在2.7V~3.3V,讀寫速度為60~70ns,封裝形式為48-ball BGA,非常適合作為MCU的外擴內存。它的內部存儲單元卻采用了DRAM的架構——也就是1T1C(一個晶體管加一個電容)構成一個存儲單元,而傳統SRAM需要6個晶體管才能實現同樣的功能。正是這種“DRAM核心+SRAM接口”的混合設計,讓PSRAM偽靜態存儲器在繼承DRAM高密度、低成本優勢的同時,又保留了SRAM使用方便的特點。
psram偽靜態存儲器EMI132LA16LM-70I優勢
第一,高密度與低成本。由于采用了DRAM的單元結構,同樣芯片面積下,PSRAM能夠實現遠大于SRAM的存儲容量,而且單位容量的成本明顯低于同等規格的SRAM。
第二,接口簡單,易于集成。PSRAM的并行接口與SRAM幾乎完全兼容,不需要額外的DRAM控制器,對于習慣使用標準并口的MCU、DSP或SoC來說,幾乎可以像外掛SRAM一樣直接使用,大幅降低了硬件設計和軟件驅動的復雜度。
第三,待機功耗控制出色。PSRAM內部集成了自刷新電路,當主處理器進入睡眠或低功耗模式時,PSRAM能夠自行維持數據不丟失,系統整體功耗得以顯著降低。這一特性在電池供電的便攜設備、物聯網傳感器節點等場景中尤其重要。
本文關鍵詞:psram
上一篇文章:Etron 1Gbit DDR2 SDRAM存儲器EM68C16CWQG-25H
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