PSRAM全稱為Pseudo Static Random Access Memory，即偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。它采用DRAM的1T1C（一個(gè)晶體管加一個(gè)電容）工藝架構(gòu)，卻實(shí)現(xiàn)了類似SRAM的接口易用性。與傳統(tǒng)SRAM的6T架構(gòu)相比，spi psram在同等芯片面積下能夠提供更高的存儲(chǔ)密度，單位成本也更具競(jìng)爭力。
 

①SRAM：速度極快、延遲低，但集成度有限、單位成本偏高

②DRAM：密度高、成本低，但需要外部控制器定期刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)

③PSRAM：兼具SRAM的接口便捷性與DRAM的高密度優(yōu)勢(shì)
 

英尚代理的VTI164LA16LM是一種高密度、低功耗的spi psram內(nèi)存擴(kuò)展解決方案，它是一款典型的偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，spi psram內(nèi)部架構(gòu)雖類似于SDRAM，但對(duì)外接口卻極為簡化，這個(gè)spi psram型號(hào)通過將刷新電路集成于芯片內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)了自刷新（Self-Refresh）功能，無需依賴外部控制器即可自主維持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。
 

①spi psram容量：64Mb（組織方式為4M×16）

②工作電壓：1.7V~1.95V

③訪問速度：支持60ns/70ns兩種速度等級(jí)

④spi psram封裝形式：48BGA

本文關(guān)鍵詞：spi psram
 

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